你(ni)了解單晶(jing)爐嗎？單晶(jing)爐在制作(zuo)工藝上的(de)拉制方法(fa)具體該怎(zen)麽做呢？
第(dì)一種：區熔(róng)法
區熔法(fǎ)的操作工(gōng)藝就是爲(wèi)了避免熔(róng)體與坩埚(guō)間的化學(xue)反應造成(cheng)的污染，而(er)發展起來(lai)的無增埚(guo)晶體生長(zhang)工藝。
這種(zhong)方法隻适(shì)用于熔體(tǐ)表面張力(lì)系數大的(de)晶體生長(zhǎng)。垂直安裝(zhuang)一根多晶(jīng)體棒，用水(shui)冷射頻感(gǎn)，使應加熱(rè)使棒的一(yī)端熔化。依(yī)靠熔體的(de)表面張力(li)和電場産(chan)生的懸浮(fu)力，使熔體(tǐ)與晶棒粘(zhan)附在一起(qǐ)。把一根經(jīng)過定向處(chù)理的籽晶(jīng)端部侵入(ru)熔體，利用(yong)加熱器與(yǔ)晶體熔體(ti)的相對運(yùn)動使多晶(jing)棒不斷地(dì)熔化，而另(lìng)一側逐漸(jian)生成晶體(tǐ)。這種方法(fǎ)會讓生長(zhǎng)的晶體不(bu)會受坩埚(guō)的污染。
第(di)二種：直拉(la)法
直拉法(fa)又稱“恰克(ke)拉斯基法(fa)”（Czochralski）法，簡稱CZ法(fǎ)。是生長單(dan)晶矽的主(zhu)要方法。該(gāi)法是在直(zhí)拉法(CZ)單晶(jīng)爐内，将原(yuán)料（多晶矽(xī)）裝在一個(gè)坩埚中使(shi)其加熱至(zhì)熔融狀，向(xiang)熔矽中引(yǐn)入籽晶，籽(zǐ)晶夾在提(tí)拉杆的下(xia)端，控制溫(wen)度合适。當(dāng)籽晶和熔(rong)矽達到平(ping)衡時，熔液(ye)會靠着表(biao)面張力的(de)支撐吸附(fu)在籽晶的(de)下方。此時(shí)邊旋轉邊(biān)提拉籽晶(jing)，這些被吸(xī)附的熔體(tǐ)也會随着(zhe)籽晶往上(shàng)運動。向上(shang)運動的過(guo)程中熔體(ti)溫度下降(jiang)，将使得熔(róng)體凝結成(chéng)晶且随着(zhe)籽晶方向(xiang)生長成單(dan)晶棒。
編輯(jí)Gyn
