現有(you)加熱電源(yuan)存在的問(wen)題：

    盡管我(wo)國晶體生(shēng)長設備的(de)自動化程(cheng)度有了很(hen)大提高，但(dan)是在常規(guī)的直拉法(fǎ)溫度控制(zhi)環節的設(shè)計上還存(cun)在以下問(wèn)題：

    (1)加熱電(dian)源的智能(neng)化程度不(bú)高。純模拟(nǐ)電路構成(chéng)，單閉環控(kòng)制，自動化(hua)程度偏低(dī)，功率的調(diào)節常滞後(hòu)于系統對(dui)溫度的實(shí)際要求。

    (2)溫(wēn)度需要手(shǒu)動調節。該(gāi)設備在運(yùn)行過程當(dang)中不能完(wan)全做到無(wu)人值守，對(dui)于引徑、放(fang)肩及熔料(liào)過程的溫(wēn)度控制還(hái)需要工作(zuò)人員通過(guò)電源櫃的(de)旋鈕手動(dòng)調節輸出(chū)值，等徑生(shēng)長過程的(de)實際控溫(wēn)精度與理(li)論值也有(you)差距，參數(shu)的設置、調(diào)節和記錄(lu)均需要值(zhí)守人員參(cān)與完成。

    單(dan)晶爐改進(jin)方案：

    裝置(zhi)采用模塊(kuài)化設計，微(wēi)機控制，内(nei)置自适應(ying)能力較強(qiáng)的模糊PID控(kong)制算法，具(ju)有控制參(can)數自動調(diào)節、顯示，可(kě)通過按鍵(jiàn)設定初值(zhi)，系統異常(cháng)可自動聲(sheng)光告警等(děng)新功能，即(jí)從整體上(shang)提高溫控(kong)系統的智(zhì)能化程度(dù)和控制精(jīng)度，加快參(can)數調節的(de)響應速度(dù)，使整個生(sheng)産過程中(zhōng)爐溫的變(bian)化能快速(su)平滑地跟(gēn)随工藝曲(qǔ)線變化，裝(zhuang)置通用性(xìng)強，操作上(shang)更加簡單(dan)、可靠。

    單晶(jing)爐 主要技(jì)術指标：

    單(dān)晶爐加熱(rè)電源是一(yī)種大功率(lǜ)直流電源(yuan)，要求輸出(chū)功率lOOkW，輸出(chū)電壓爲0-5V可(ke)調，輸出電(dian)流爲0-3000A；其輸(shū)出的能量(liang)可直接爲(wei)單晶爐内(nèi)的石墨加(jiā)熱器供熱(rè)，加熱溫度(dù)範圍爲o～2000℃，控(kong)溫精度要(yào)求達到±5℃；各(ge)種信号可(kě)自動檢測(cè)、顯示，參數(shù)的修改和(he)設定可通(tong)過按鍵進(jin)行，以此來(lai)滿足單晶(jīng)矽在生長(zhang)階段對溫(wen)度的嚴格(gé)要求。