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定向凝固提(tí)純技術在去(qu)除金屬雜質(zhi)的應用[2014/7/16]Morita等人提(ti)出,冶金級矽(xi)中金屬雜質(zhì)經過2次定向(xiang)凝固提純, 完(wan)全可以達到(dào)太陽能級多(duō)晶矽要求[30]。Rannveig Kvande 等(deng)通過慢冷和(hé)快冷快速定(ding)向凝固對比(bi)實驗, 測量出(chū)碳的含量在(zài)2個試塊中的(de)含量分布基(ji)本一樣,慢冷(leng)的氧含量比(bǐ)快冷高。Pires等利(li)用電子束熔(róng)煉法, 獲得了(le)5N的太陽能級(jí)多晶矽,得出(chu)了矽錠下部(bu)和邊緣雜質(zhì)的含量較低(di),上部和中間(jian)雜質含量較(jiao)高的結論。Chandra P Khattak 等(deng)利用真空氧(yǎng)化和定向凝(ning)固2步工藝提(tí)純工業矽,結(jie)果表明,大部(bù)分的金屬雜(za)質含量還是(shì)很高,雖然部(bu)分金屬雜質(zhì)去除效果理(lǐ)想,但還是達(da)不到太陽能(neng)級多晶矽的(de)要求。
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